GQM1875C2E101GB12 Tụ điện gốm nhiều lớp chip công suất cao

  • Mua GQM1875C2E101GB12 Tụ điện gốm nhiều lớp chip công suất cao,GQM1875C2E101GB12 Tụ điện gốm nhiều lớp chip công suất cao Giá ,GQM1875C2E101GB12 Tụ điện gốm nhiều lớp chip công suất cao Brands,GQM1875C2E101GB12 Tụ điện gốm nhiều lớp chip công suất cao Nhà sản xuất,GQM1875C2E101GB12 Tụ điện gốm nhiều lớp chip công suất cao Quotes,GQM1875C2E101GB12 Tụ điện gốm nhiều lớp chip công suất cao Công ty
GQM1875C2E101GB12 Tụ điện gốm nhiều lớp chip công suất cao
  • muRata
  • GQM1875C2E101GB12
  • 100pF ±2%,250V,125oC

1. Chiều dài: 1,6 ± 0,15mm
2. Chiều rộng: 0,8 ± 0,15mm
3. Độ dày: 0,7 ± 0,1mm
4. Điện dung: 100pF ± 2%
5. Khoảng cách giữa các cực bên ngoài g: tối thiểu 0,5mm.
6. Kích thước đầu cuối bên ngoài e: 0,2 đến 0,5mm
7. Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -55oC đến 125oC
8. Điện áp định mức: 250Vdc
9. Mã kích thước tính bằng inch(mm): 0603 (1608M)
10. TC: 0±30ppm/oC
11. Đặc tính nhiệt độ (tiêu chuẩn tuân thủ): C0G(EIA)
12. Phạm vi nhiệt độ của đặc tính nhiệt độ: 25oC đến 125oC

Đặc tính nhiệt độ [5C] 

(Mã STD công cộng: [C0G(EIA)])

  

Điện áp định mức


điện dung


Dung sai điện dung


Nhiệt độ hoạt động. Phạm vi


Phương pháp lắp

Nhiệt độ. coeff. hoặc Mũ. Thay đổiNhiệt độ. Phạm viTham chiếu.Nhiệt độ.
0+/-30 trang/phút/oC25 đến 125oC25oCDC 250V100pF+/-2%-55 đến 125oCDòng chảy, dòng chảy lại

image.png



Nhận giá mới nhất? Chúng tôi sẽ trả lời sớm nhất có thể (trong vòng 12 giờ)

Chính sách bảo mật

close left right